LJD系列介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

一、ASTM D150介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主機(jī)及夾具參數(shù)：

二、ASTM D150介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要符合標(biāo)準(zhǔn)：

ASTM D150-11實(shí)心電絕緣材料的交流損耗特性和電容率（介電常數(shù)）的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法；

GB/T1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法；

GB/T1693-2007硫化橡膠介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)定方法；

GBT5594.4-2015電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法第4部分:介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)試方法；

1.Q表法測(cè)試原理

諧振電路基礎(chǔ)：

測(cè)試基于LC諧振電路，當(dāng)電路諧振時(shí)，感抗和容抗相等，電路呈現(xiàn)純電阻特性，此時(shí)Q值（品質(zhì)因數(shù)）達(dá)到最大值。Q值定義為：

其中，ω為角頻率，L為電感，C為電容，R為等效串聯(lián)電阻。

介質(zhì)參數(shù)與Q值的關(guān)系：

介電常數(shù)（ε）：通過(guò)測(cè)量樣品電容與真空電容的比值計(jì)算：

介質(zhì)損耗角正切（tanδ）：與Q值直接相關(guān)：tan?=1tanδ=Q1實(shí)際測(cè)試中需考慮電路本身的損耗（如線圈損耗），需進(jìn)行校準(zhǔn)。

2、測(cè)試系統(tǒng)組成

核心設(shè)備

Q表主機(jī)：內(nèi)置信號(hào)源、頻率計(jì)、Q值測(cè)量電路。

諧振線圈（電感L）：可更換以適應(yīng)不同頻率范圍。

可變電容器：用于調(diào)節(jié)諧振點(diǎn)。

測(cè)試夾具：用于固定樣品，通常為平行板電極或同軸結(jié)構(gòu)。

輔助設(shè)備

標(biāo)準(zhǔn)電容：用于校準(zhǔn)。

屏蔽箱：減少外界電磁干擾。

溫控裝置（可選）：測(cè)試溫度依賴(lài)性時(shí)使用。

3、測(cè)試步驟

樣品制備

樣品為均勻薄片，厚度精確測(cè)量（通常0.1~5mm）。

表面平整，避免氣隙，可鍍金屬電極或使用導(dǎo)電膠。

儀器校準(zhǔn)

空載校準(zhǔn)：不放置樣品，測(cè)量諧振頻率0f0和Q值0Q0。

短路校準(zhǔn)：消除夾具殘余電感和電阻的影響。

樣品測(cè)試

將樣品放入夾具，調(diào)節(jié)可變電容使電路諧振，記錄諧振頻率1f1和Q值1Q1。計(jì)算電容變化量ΔC和Q值變化量ΔQ。

參數(shù)計(jì)算

介電常數(shù)：

介質(zhì)損耗：

4、注意事項(xiàng)與誤差分析

關(guān)鍵影響因素

電極接觸：氣隙會(huì)導(dǎo)致電容測(cè)量誤差，需確保緊密接觸。

頻率選擇：高頻下趨膚效應(yīng)和輻射損耗可能顯著。

溫度與濕度：環(huán)境條件需穩(wěn)定，尤其是對(duì)溫敏材料。

常見(jiàn)誤差來(lái)源

夾具殘余電感和電阻。

信號(hào)源頻率穩(wěn)定度和諧波失真。

樣品不均勻性或表面污染。

五、Q表法優(yōu)缺點(diǎn)

優(yōu)點(diǎn)

局限性

高頻測(cè)量（可達(dá)數(shù)百M(fèi)Hz）

低頻段（<1kHz）精度較低

結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本較低

需手動(dòng)調(diào)諧，操作復(fù)雜度較高

適合小尺寸樣品

對(duì)樣品制備要求嚴(yán)格

六、應(yīng)用場(chǎng)景

材料研發(fā)：陶瓷、聚合物、薄膜等高頻介電材料。

質(zhì)量控制：電容器介質(zhì)、射頻基板、絕緣涂層。

學(xué)術(shù)研究：介電弛豫、極化機(jī)制分析。